삼성전자는지금까지TC(열압착)-NCF라는방식으로HBM을제조해왔다.D램을한장씩쌓은뒤,사이에NCF라는비전도성접착필름을통해붙이는방식이다.'TC본더'라는장비로열압착방식을적용하기때문에SK하이닉스제품보다는덜휜다는장점이있지만동시에수율이떨어진다는우려도있다.

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CRS(SOFR)와IRS의차이인스와프베이시스의역전폭은소폭확대됐다.

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※이내용은3월18일오후4시연합뉴스경제TV의'경제ON'프로그램에서방영된콘텐츠입니다.(출연:윤은별연합인포맥스기자,진행:이민재)

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